Действие ионизирующего излучения (ИИ) приводит к дозовой деградации как биполярных, так и МОП кремниевых полупроводниковых приборов (111111). Причиной деградации чувствительных параметров приборов является накопление заряда в оксиде кремния и на границе раздела кремний-оксид кремния (Si/SiC^). Для биполярных приборов заряд, индуцированный на границе кремний-полевой оксид кремния над эмиттерным p-n-переходом, приводит к увеличению базового тока 1в, что приводит к снижению нормального коэффициента передачи тока эмиттерного перехода. В МОП приборах накопление заряда в подзатворном оксиде приводит к увеличению порогового напряжения Vth. Согласно требованиям комплекса стандартов «Климат-7» необходима оценка предельной дозы в условиях воздействия гамма-излучения различных источников. Отличие рентгеновского излучения от гамма- излучения заключается только в энергии квантов. Поэтому с экологической и материальной точки зрения является привлекательным замена гамма-воздействия на рентгеновское. Однако в количественном отношении действие этих двух видов воздействия существенно различается и кроме того существенно зависит от многих других факторов: температуры, напряженности электрического поля в оксиде, толщины оксида, мощности дозы и других [1-4]. Целью данного исследования является определение условий эквивалентности воздействия рентгеновского и гамма-излучений.