Actual directions of scientific researches of the XXI century: theory and practice Actual directions of scientific researches of the XXI century: theory and practice Актуальные направления научных исследований XXI века: теория и практика 2308-8877 2847 10.12737/4738 Секция: Компьютерные технологии в процессах математического моделирования динамических систем Section: Computer technology in the process of mathematical modeling of dynamic systems Секция: Компьютерные технологии в процессах математического моделирования динамических систем Technology producing multilayer metallization on silicon surface using amorphous alloy Технология получения многослойной металлизации на поверхности кремния с использованием аморфного сплава Пашаев И. Г. Pashaev I. Г. islampashayev@rambler.ru 09 10 2014 09 10 2014 2 4 195 197 https://anni.editorum.ru/en/nauka/article/2847/view

Проведено исследование возможности получения многослойной металлизации на поверхности кремния с использованием аморфного сплава в качестве диффузионного барьера.

Research of possibility of receiving multilayered metallization on a silicon surface with use of an amorphous alloy as a diffusive barrier is conducted.

 металлизация кремний аморфный сплав metallization silicon amorphous alloy

Наиболее часто процессы, протекающие в контактах «металл-полу-проводник», связывают со свойствами полупроводникового материала. Роль металла и его кристаллической структуры в этих процессах изучены недостаточно и в большинстве случаев их влиянием пренебрегают.

Пашаев И.Г. Влияние различных обработок на свойства диодов Шоттки. Физика и техника полупроводников, 2012, том 46, вып. 8. - С.1108-1110 Pashaev I.G. Vliyanie razlichnykh obrabotok na svoystva diodov Shottki. Fizika i tekhnika poluprovodnikov, 2012, tom 46, vyp. 8. - S.1108-1110 Elzenberg M., Foell H., Tu K.N. Formation of shallow Schottky contacts to Si using Pt -Si and Pd -Si alloy films //J. Appl. Phys. -1981. -Vol. 52, N 2,.рр. 861-868. Elzenberg M., Foell H., Tu K.N. Formation of shallow Schottky contacts to Si using Pt -Si and Pd -Si alloy films //J. Appl. Phys. -1981. -Vol. 52, N 2,.rr. 861-868. Tsaur B.J., Silversmith D.J. Effect interface structure on the electrical characteristics of - Schottky barrier contacts//Thin Solid Films -1982 -Vol. 93, - Р. 331-340. Tsaur B.J., Silversmith D.J. Effect interface structure on the electrical characteristics of - Schottky barrier contacts//Thin Solid Films -1982 -Vol. 93, - R. 331-340. Solomonson G., Holm E.K., Finsted T.G. A study of Ti as a diffusion barrier between PtSi or and // Phys. SCR. 1981, Vol. 24, № 2. - Р. 401-404. Solomonson G., Holm E.K., Finsted T.G. A study of Ti as a diffusion barrier between PtSi or and . Phys. SCR. 1981, Vol. 24, № 2. - R. 401-404. I. G. Pashayev The Influence of Ultrasonic Treatment on the Properties of Schottky Diodes // Open Journal of Acoustics, 2013, 3, 9-12 I. G. Pashayev The Influence of Ultrasonic Treatment on the Properties of Schottky Diodes. Open Journal of Acoustics, 2013, 3, 9-12