<!DOCTYPE article
PUBLIC "-//NLM//DTD JATS (Z39.96) Journal Publishing DTD v1.4 20190208//EN"
       "JATS-journalpublishing1.dtd">
<article xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" xmlns:xlink="http://www.w3.org/1999/xlink" xmlns:xsi="http://www.w3.org/2001/XMLSchema-instance" article-type="research-article" dtd-version="1.4" xml:lang="en">
 <front>
  <journal-meta>
   <journal-id journal-id-type="publisher-id">Actual directions of scientific researches of the XXI century: theory and practice</journal-id>
   <journal-title-group>
    <journal-title xml:lang="en">Actual directions of scientific researches of the XXI century: theory and practice</journal-title>
    <trans-title-group xml:lang="ru">
     <trans-title>Актуальные направления научных исследований XXI века: теория и практика</trans-title>
    </trans-title-group>
   </journal-title-group>
   <issn publication-format="print">2308-8877</issn>
  </journal-meta>
  <article-meta>
   <article-id pub-id-type="publisher-id">8284</article-id>
   <article-id pub-id-type="doi">10.12737/14824</article-id>
   <title-group>
    <article-title xml:lang="en">The types of damage of semiconductor products and their components when exposed to electrostatic discharges</article-title>
    <trans-title-group xml:lang="ru">
     <trans-title>Виды повреждений полупроводниковых изделий и их элементов при воздействии электростатических разрядов</trans-title>
    </trans-title-group>
   </title-group>
   <contrib-group content-type="authors">
    <contrib contrib-type="author">
     <name-alternatives>
      <name xml:lang="ru">
       <surname>Богатко</surname>
       <given-names>Иван Николаевич</given-names>
      </name>
      <name xml:lang="en">
       <surname>Bogatko</surname>
       <given-names>Ivan Николаевич</given-names>
      </name>
     </name-alternatives>
    </contrib>
   </contrib-group>
   <pub-date publication-format="print" date-type="pub" iso-8601-date="2015-12-10T00:00:00+03:00">
    <day>10</day>
    <month>12</month>
    <year>2015</year>
   </pub-date>
   <pub-date publication-format="electronic" date-type="pub" iso-8601-date="2015-12-10T00:00:00+03:00">
    <day>10</day>
    <month>12</month>
    <year>2015</year>
   </pub-date>
   <volume>3</volume>
   <issue>7</issue>
   <fpage>148</fpage>
   <lpage>151</lpage>
   <self-uri xlink:href="https://anni.editorum.ru/en/nauka/article/8284/view">https://anni.editorum.ru/en/nauka/article/8284/view</self-uri>
   <abstract xml:lang="ru">
    <p>Представлены виды повреждений полупроводниковых приборов и их элементов, вызванные разрядами статического электричества</p>
   </abstract>
   <trans-abstract xml:lang="en">
    <p>The following types of damage to semiconductor devices and their elements caused by static electricity</p>
   </trans-abstract>
   <kwd-group xml:lang="ru">
    <kwd>полупроводниковый прибор</kwd>
    <kwd>электростатический разряд.</kwd>
   </kwd-group>
   <kwd-group xml:lang="en">
    <kwd>semiconductor device</kwd>
    <kwd>electrostatic discharge.</kwd>
   </kwd-group>
  </article-meta>
 </front>
 <body>
  <p>Электронная аппаратура постоянно подвергается воздействию дестабилизирующих факторов. Любое влияние на изделие может приводить к изменениям в работе устройства: от отклонений эксплуатационных параметров до отказов, поломок и разрушения входящих в ее состав элементов. Изучение воздействия такого фактора как электростатический разряд (ЭСР) позволит обеспечивать защитные меры еще на этапе проектирования изделий полупроводниковой промышленности. Важным аспектом исследования является классификация и систематизация возможных воздействий электростатического разряда.При детальном рассмотрении повреждений полупроводниковых приборов (ППП), вызванных ЭСР, следует различать:– дефекты, характерные для воздействия разрядного импульса на бездефектные и удовлетворяющие требованиям документации изделия;– повреждения, образование которых возможно только в случаях наличия технологических дефектов структуры и конструкции ППП;– повреждения структуры и конструктивных элементов, имеющие определенное сходство с повреждениями, образующимися при воздействии статического электричества, но вызванные другими признаками (например, аварийными бросками напряжения в питающих цепях устройства) [1].</p>
 </body>
 <back>
  <ref-list>
   <ref id="B1">
    <label>1.</label>
    <citation-alternatives>
     <mixed-citation xml:lang="ru">Каверзнев, В.А. Статическое электричество в полупроводниковой промышленности / В.А. Каверзнев.  М. : Энергия, 1975. 114 с.</mixed-citation>
     <mixed-citation xml:lang="en">Kaverznev, V.A. Staticheskoe elektrichestvo v poluprovodnikovoy promyshlennosti / V.A. Kaverznev.  M. : Energiya, 1975. 114 s.</mixed-citation>
    </citation-alternatives>
   </ref>
   <ref id="B2">
    <label>2.</label>
    <citation-alternatives>
     <mixed-citation xml:lang="ru">Кечиев, Л.Н. Защита электронных средств от воздействия статического электричества / Л.Н. Кечиев, Е.Д. Пожидаев. М. : «Технологии», 2005. 352 с.</mixed-citation>
     <mixed-citation xml:lang="en">Kechiev, L.N. Zashchita elektronnykh sredstv ot vozdeystviya staticheskogo elektrichestva / L.N. Kechiev, E.D. Pozhidaev. M. : «Tekhnologii», 2005. 352 s.</mixed-citation>
    </citation-alternatives>
   </ref>
   <ref id="B3">
    <label>3.</label>
    <citation-alternatives>
     <mixed-citation xml:lang="ru">Горлов, М. Воздействие электростатических разрядов на интегральные схемы / М. Горлов, А. Строгонов, К. Адамян // Компоненты и технологии. 2008. № 3.  С. 188-192.</mixed-citation>
     <mixed-citation xml:lang="en">Gorlov, M. Vozdeystvie elektrostaticheskikh razryadov na integral&amp;#180;nye skhemy / M. Gorlov, A. Strogonov, K. Adamyan. Komponenty i tekhnologii. 2008. № 3.  S. 188-192.</mixed-citation>
    </citation-alternatives>
   </ref>
   <ref id="B4">
    <label>4.</label>
    <citation-alternatives>
     <mixed-citation xml:lang="ru">Богатко, И.Н. Систематизация механизмов повреждений полупроводниковых приборов, вызванных воздействием электростатических разрядов / И.Н. Богатко, Г.А. Пискун, А.Д. Элькинд // 51-я научная конференция аспирантов, магистрантов и студентов по направлению 1: Компьютерное проектирование и технология производства электронных средств: материалы конф., Минск, Респ. Беларусь, 13-17 апреля 2015 г. / БГУИР. Минск, 2015. С. 157-158.</mixed-citation>
     <mixed-citation xml:lang="en">Bogatko, I.N. Sistematizatsiya mekhanizmov povrezhdeniy poluprovodnikovykh priborov, vyzvannykh vozdeystviem elektrostaticheskikh razryadov / I.N. Bogatko, G.A. Piskun, A.D. El&amp;#180;kind. 51-ya nauchnaya konferentsiya aspirantov, magistrantov i studentov po napravleniyu 1: Komp&amp;#180;yuternoe proektirovanie i tekhnologiya proizvodstva elektronnykh sredstv: materialy konf., Minsk, Resp. Belarus&amp;#180;, 13-17 aprelya 2015 g. / BGUIR. Minsk, 2015. S. 157-158.</mixed-citation>
    </citation-alternatives>
   </ref>
  </ref-list>
 </back>
</article>
