Существуют следующие общие положения методов НКДП [1, 2]:–  методы являются дополнительными к методам контроля качества и надежности, оговоренные в техническом условии на изделия, и могут быть использованы как при выходном контроле, так и в процессе их изготовления;–  применение НКДП позволяет проводить статическое регулирование технологического процесса, оценивать новые технологические решения, отбраковывать ППИ со скрытыми дефектами в процессе изготовления, анализировать причины отказов, заменять отдельные виды дорогостоящих технологических отбраковочных испытаний и т.д.;–  применение НКДП существенно повышает качество и надежность выпускаемой аппаратуры при уменьшении затрат на организацию входного контроля по стандартным параметрам и характеристикам;–  выбор методов НКДП на контролируемые параметры рекомендуется проводить с учетом основных механизмов и причин отказов конкретных изделий и с учетом их конструктивно-технологических и функциональных особенностей, а также специфики их применения в аппаратуре;–  нормы на контролируемые диагностические параметры должны периодически перепроверяться и в обоснованных случаях корректироваться, например, в случае изменения конструкции, топологии или технологии;–  реализация методов НКДП должна обеспечивать производительность, необходимую для использования их в технологическом процессе, которая достигается использованием метода в едином цикле и на программно-управляемом или специализированном оборудовании.В настоящее время особое внимание уделяется методам разделения партий интегральных схем (ИС) по стойкости к ЭСР. Это обусловлено тем, что в партии ИС всегда есть некоторое количество схем, имеющих пониженную чувствительность к электростатическим разрядам. В этом случае может оказаться целесообразным ввести предварительное (на стадии изготовления) разделение таких ИС на две партии с различной величиной стойкости к ЭСР.Для этой цели предложена методика испытаний с использованием разрядов малого потенциала, разовое воздействие которого не приводит к отказу ИС, но может вызвать изменение информативного параметра, по которому партия схем разделяется на две с различной стойкостью к ЭСР. Снижения надежности при этом не происходит, так как влияние единичного ЭСР на электрические параметры схемы компенсируется отжигом при повышенной температуре [1].Критерий разделения должен быть таким, чтобы можно было эффективно разделять ИС на две партии с различной величиной стойкости к разряду. Изначально, напряжение ЭСР подбирается таким, чтобы наблюдалось малое изменение информативного параметра в пределах норм технического условия. После, происходит разделение партии посредствам воздействия на ИС единичного ЭСР с напряжением, определенным ранее. Затем измененное значение информативного параметра каждой ИС сравнивается с критерием разделения, и производится разделение ИС на две партии, то есть отбираются схемы, имеющие более высокую стойкость к ЭСР. В работах [3, 4] показано, что при отбраковке таких ИС памяти, как микроконтроллеры, наибольшее внимание необходимо уделять не только электрическим (статическим и динамическим) параметрам, но и возможным повреждениям записанного программного кода.