Россия
Россия
Воронежская область, Россия
Россия
Россия
В статье рассматривается развитие адаптивных систем связи и управления космического и гражданского назначения для обеспечения надежности функционирования и повышения точности управления. Для обеспечения устойчивости КМОП БИС к ионизирующему облучению используются способы реализации блока изоляции, конструкции и технологии рабочих транзисторов, обеспечивающих высокую стабильность их характеристик.
КМОП БИС, система связи и управления, радиационная стойкость, устойчивость, схемотехнический базис
1. Анашин, В.С. Проблемы моделирования воздействия ионизирующего излучения на радиоэлектронную аппаратуру с использованием специализированного программного обеспечения / В.С Анашин., И.О. Ишутин, Г.А. Прото-попов // Высокие технологии, исследования, промышленность : сб. трудов Девятой международной научно-практической конференции «Исследование, раз-работка и применение высоких технологий в промышленности». - СПб., 2010.
2. Выбор значений параметров, определяющих кинетику накопления за-ряда в диэлектрике при радиационном воздействии / В. К. Зольников, В. П. Крюков, В. Н. Ачкасов, В. А.Скляр // Моделирование систем и процессов. - 2015. - Т.8, № 3. - С. 24-26.
3. Меерсон, В.Э. Общая характеристика моделей заряженных частиц космического пространства / В.Э. Меерсон, Г.В. Киселёв // Моделирование систем и процессов. - 2017. - Т. 10, № 1. - С. 40-43.
4. Создание базиса для микросхем сбора и обработки данных / В.А. Скляр, А.В. Ачкасов, К.В. Зольников, И.И. Струков, К.А. Чубур // Моделирование систем и процессов. - 2018. - Т. 11, № 2. - С.66-71.
5. Анализ качества проектирования блоков ОЗУ в составе микропроцес-сорных систем с обеспечением минимальной сбоеустойчивости / В.К. Зольников, Ю.А. Чевычелов, В.В. Лавлинский, А.В. Ачкасов, А.В. Толкачев, О.В. Оксюта // Моделирование систем и процессов. - 2019. - Т. 12, № 4. - С. 47-55.
6. Анализ проектирования блоков RISC-процессора с учетом сбоеустойчивости / В.К. Зольников, А.С. Ягодкин, В.И. Анциферова, С.А. Евдокимова, Т.В. Скворцова, А.И. Яньков // Моделирование систем и процессов. - 2019. - Т. 12, № 4. - С. 56-65.
7. Определение структур в микросхемах, чувствительных к воздействию космических частиц / А.Л. Савченко, А.Ю. Кулай, И.И. Струков, К.А. Чубур, С.В. Гречаный // Моделирование систем и процессов. - 2019. - Т. 12, № 4. - С. 73-77.
8. Юров, А.Н. Разработка автономных программных решений на основе геометрических ядер по созданию цифровых сборочных моделей станочных приспособлений / А.Н. Юров, В.И. Анциферова // Моделирование систем и процессов. - 2020. - Т. 13, № 3. - С. 86-93.
9. Жуков, В.М. Методология синтеза информационно-измерительной и управляющей системы с настраиваемой структурой и гибкими чувствительны-ми элементами на примере фазированной антенной решетки / В.М. Жуков, Д.Ю. Муромцев, В.В. Лавлинский // Моделирование систем и процессов. - 2020. - Т. 13, № 4. - С. 9-18.
10. Методы контроля надежности при разработке микросхем / К.В. Зольников, С.А. Евдокимова, Т.В. Скворцова, А.Е. Гриднев // Моделирование си-стем и процессов. - 2020. - Т. 13, № 1. - С. 39-45.
11. Определение мероприятий по программе обеспечения качества работ проектирования и серийного производства микросхем и оценки их эффективности на примере СБИС 1867ВН016 / К.В. Зольников, А.С. Ягодкин, С.А. Евдокимова, Т.В. Скворцова // Моделирование систем и процессов. - 2020. - Т. 13, № 1. - С. 46-53.
12. Разработка проектной среды и оценка технологичности производства микросхемы с учетом стойкости к специальным факторам на примере СБИС 1867Ц6Ф / В.А. Скляр, В.А. Смерек, К.В. Зольников, Д.Н. Чернов, А.С. Ягодкин // Моделирование систем и процессов. - 2020. - Т. 13, № 1. - С. 77-82.
13. Макаренко, Ф.В. Сужение спектра излучения GaAs светодиода за счет применения светофильтра InP (Ag) / Ф.В. Макаренко, А.В. Арсентьев, К.В. Зольников // Моделирование систем и процессов. - 2020. - Т. 13, № 4. - С. 32-38.
14. Юров, А.Н. Организация технических условий и информационных данных в 3D моделях программных систем / А.Н. Юров, В.В. Сокольников, К.С. Меремьянин // Моделирование систем и процессов. - 2020. - Т. 13, № 4. - С. 83-89.
