Russian Federation
Considered method of three-dimensional modeling of elements of integral schemes in conditions of influence ionizing radiations. Offered algorithm of modeling connecting ionizing current p-n-junction allowing take into account effect of restriction of volume a collection of carriers a charge.
integral circuits, ionizing radiation, ionizing current.
УДК 621.384.6: 537.535
Трехмерное моделирование элементов интегральных схем в условиях радиационного воздействия
Three-dimensional modeling of elements of integral schemes in conditions radiation influences
Панюшкин Н.Н.
Матвеев Н.Н.
ФБГОУ ВПО «Воронежская государственная лесотехническая академия»,
г. Воронеж, Россия
DOI: 10.12737/6762
Аннотация. Рассмотрен метод трехмерного моделирования элементов интегральных схем в условиях воздействия ионизирующего излучения. Предложен алгоритм моделирования переходного ионизационного тока p-n-перехода позволяющий учесть эффект ограничения объема сбора носителей заряда (НЗ).
Summary:Considered method of three-dimensional modeling of elements of integral schemes in conditions of influence ionizing radiations. Offered algorithm of modeling connecting ionizing current p-n-junction allowing take into account effect of restriction of volume a collection of carriers a charge.
Ключевые слова: интегральные схемы, ионизирующее излучение, ионизационный ток.
Keywords: integral circuits, ionizing radiation, ionizing current.
К моделям элементов ИС предъявляются два противоречивых требования - они должны быть точными и экономичными. Компромисс может быть достигнут путем введения физических оправданных упрощений математических моделей. Одним из наиболее эффективных компромиссных подходов такого рода является метод региональных приближений [1]. Метод предусматривает разбиение транзисторной структуры на отдельные области, совпадающие с областью пространственного заряда p-n-переходов и квазинейтральными областями. При этом появляется возможность произвести расчет полупроводниковой структуры по частям. В качестве критерия правомерности разбиения структуры на отдельные области (секции) будем использовать условие постоянства граничных условий.
|
|
Для МОП-транзистора, изготовленного по КНИ технологии (рис.1), переходные ионизационные токи каждого из р-n-переходов «исток-карман» и «сток-карман» состоят из четырех составляющих.
1. Panyushkin N.N. Modelirovanie perekhodnykh ionizatsionnykh tokov elementov integral´nykh skhem na osnove metoda regional´nykh priblizheniy / N.N. Panyushkin. Sistemy upravleniya i informatsionnye tekhnologii. - 2009.- Vyp. 3(37). - S.84-88.
2. Panyushkin N.N. Mikrouravnevaya model´ ionizatsionnogo toka r-n-perekhoda / N.N. Panyushkin. Izvestiya vuzov. Severo-Kavkazskiy region. Tekhnicheskie nauki. - 2011. - №4. - S. 38-39.
