MODELLING OF IONIZATION EFFECTS AND THE EFFECTS OF DISPLACEMENT IN DIGITAL CHIPS FOR CAD
Abstract and keywords
Abstract (English):
The methods of design of digital fault-tolerant bipolar integrated circuits to exposure to radiations such as gamma, x-ray and neutron radiation are considered, as well as the impact of the neutron pulse, which af-fect largely on the gain of the transistor. The operating mode of integrated circuits with change in the ini-tial values of voltages, as well as currents of the emitter and of the base is presented. Numerical calcula-tions of the ionization current in the base-collector junction are considered which allow pre-calculate dose rate of gamma, x-ray and neutron radiation.

Keywords:
CAD, chips, radiating, radiation, information technology, mathematical models, chips, electronic component base, radiation resistance, radiation-resistant chips.
Text

Рассмотрены методы проектирования сбоеустойчивых цифровых биполярных интегральных микросхем с воздействием на них таких радиаций как гамма-, рентгеновского и нейтронного излучения, а так же воздействие нейтронного импульса, которые влияют, в значительной степени, на коэффициенты усиления транзисторов. Представлен режим работы интегральных микросхем с изменением начальных значений напряжений, а так же токов эммитера и базы. Рассмотрены численные расчеты величин ионизационного тока в база-коллекторном переходе, которые позволяют предварительно рассчитать мощность дозы гамма-, рентгеновского и нейтронного излучения.

 

References

1. Zol´nikov, V. K. Proektirovanie sboeustoychivykh mikroskhem [Tekst] / V. K. Zol´nikov, A. I. Yan´kov, V. A. Smerek, A. V. Achkasov, N. A. Orlikovskiy, D. M. Utkin. Aktual´nye napravleniya nauchnykh issledovaniy XXI veka: teoriya i praktika. - 2013. - № 5 (5). - S. 217-222.

2. Utkin, D. M. Problemno-orientirovannoe programmnoe obespechenie dlya rascheta pokazateley nadezhnosti slozhnykh blokov programmno-tekhnicheskikh kompleksov i ego integratsiya v sapr skvoznogo proektirovaniya [Tekst] / D. M. Utkin, V. K. Zol´nikov. Modelirovanie sistem i protsessov. - 2013. - № 3. - S. 48-51.

3. Lavlinskiy, V. V. Sintez virtual´noy real´nosti pri proektirovanii informatsionnykh ob´´ektov v usloviyakh nechetkogo predstavleniya kontroliruemykh parametrov [Tekst] / V. V. Lavlinskiy, E. E. Obruchnikova, Yu. S. Serbulov. Modelirovanie sistem i protsessov. - 2011. - № 3. - S. 37-44.

4. Chevychelov, Yu. A. Metody opredeleniya stoykosti kmop-komponentov pri proektirovanii mikroskhem [Tekst] / Yu. A. Chevychelov. Modelirovanie sistem i protsessov. - 2011. - № 3. - S. 68-71.

5. Lavlinskiy, V. V. Issledovanie podkhodov dlya sozdaniya informatsionnoy sostavlyayushchey pri proektirovanii intellektual´nogo trenazhera na osnove signalov kory golovnogo mozga [Tekst] / V. V. Lavlinskiy, D. V. Bibikov, R. B. Burov, Yu. G. Tabakov. Modelirovanie sistem i protsessov. - 2012. - № 4. - S. 52-56.

6. Bibikov, D. V. Metod proektirovaniya skhem dlya schityvaniya NCh-signalov s kory golovnogo mozga [Tekst] / D. V. Bibikov, R. B. Burov, V. V. Lavlinskiy, Yu. G. Tabakov. Modelirovanie sistem i protsessov. - 2013. - № 2. - S. 11-14.

7. Antsiferova, V. I. Strategiya obrazovaniya v oblasti radioelektroniki v sovremennykh usloviyakh [Tekst] / V. I. Antsiferova, O. V. Korovina, V. K. Zol´nikov / Aktual´nye napravleniya nauchnykh issledovaniy XXI veka: teoriya i praktika. - 2014. - № 4-2 (9-2). - S. 378-381.

8. Sklyar, V. A. Problema tselostnosti signala: kharakterizatsiya i modelirovanie protsessov v SAPR [Tekst] / V. A. Sklyar, V. K. Zol´nikov, A. I. Yan´kov, Yu. A. Chevychelov, V. F. Barabanov. Modelirovanie sistem i protsessov. - 2013. - № 2. - S. 67-72.


Login or Create
* Forgot password?