The classification of the basic built-in protection elements of integrated circuits. We investigated the properties of protection on the basis of The MOS transistor: n-MOSFET transistor with grounded gate (Gate Grounded NMOS Transistor, GGNMOST).
electrostatic discharge (ESD), integrated circuit (IC), a MOS transistor, the substrate, epitaxial layer
В настоящее время микросхемы памяти занимают одну из наиболее широких областей применения, в частности, на базе микроконтроллеров построено практически все вычислительные системы, технологическое и медицинское оборудование и т.д. Однако данные быстродействующие ИС обладают повышенной чувствительностью к воздействию ЭСР [1].
Микросхемы значительную часть производственного цикла проводят вне плат, в составе которых будут функционировать впоследствии, а некоторые – например, центральные процессоры, оперативная память, остаются без защиты вплоть до поступления к конечному пользователю и, соответственно, монтажа. В связи с этим, вопрос взаимодействия ИС с оператором (пользователем) неизбежно приведет к появлению и последующему воздействию разрядов статического электричества [2].
Одним из важнейших требований, предъявляемых при проектировании схем защиты − не ухудшать параметры самой ИС. Однако немаловажными являются такие требования, как [3]:
− небольшая площадь, занимаемая схемой;
− способность эффективно ограничивать напряжение разряда, подаваемого на схему;
− возможность шунтировать напряжение и токи перегрузки, возникающие при ЭСР;
− ограничение физической области схемы на кристалле, на которую воздействует ЭСР;
− максимально быстрое время срабатывания и минимальное время задержки при нормальной работе ИС в диапазоне изменений питающего напряжения.
1. Kechiev, L.N. Zashchita elektronnykh sredstv ot vozdeystviya staticheskogo elektrichestva / L.N. Kechiev, E.D. Pozhidaev. M.: Izd. dom «Tekhnologii», 2005. 352 s.
2. Piskun, G.A. Kontrol´ funktsionirovaniya mikrokontrollerov pri vozdeystvii elektrostaticheskogo razryada / G.A. Piskun, V.F. Alekseev. Dok¬lady BGUIR. 2012. № 6 (68). S. 12-18.
3. Vong, B.P. Nano-KMOP-skhemy i proektirovanie na fizicheskom urovne / B.P. Vong, A. Mittal, Yu. Tsao, G. Starr. M.: Tekhnosfera, 2014. - 432 s.
