Russian Federation
Considered physical processes, influencing upon accumulation charge in oxides silicon under the action of ionizing radiations. Broughted result numerical and physical experiments. Gived the analysis of influence an energy ionizing radiations on velocity of degradations of sensitive parameters of silicon semiconductor devices.
total-doze effects, silicon semiconductor devises, dose rate, ionizing radiation energy
Действие ионизирующего излучения (ИИ) приводит к дозовой деградации как биполярных, так и МОП кремниевых полупроводниковых приборов (111111). Причиной деградации чувствительных параметров приборов является накопление заряда в оксиде кремния и на границе раздела кремний-оксид кремния (Si/SiC^). Для биполярных приборов заряд, индуцированный на границе кремний-полевой оксид кремния над эмиттерным p-n-переходом, приводит к увеличению базового тока 1в, что приводит к снижению нормального коэффициента передачи тока эмиттерного перехода. В МОП приборах накопление заряда в подзатворном оксиде приводит к увеличению порогового напряжения Vth. Согласно требованиям комплекса стандартов «Климат-7» необходима оценка предельной дозы в условиях воздействия гамма-излучения различных источников. Отличие рентгеновского излучения от гамма- излучения заключается только в энергии квантов. Поэтому с экологической и материальной точки зрения является привлекательным замена гамма-воздействия на рентгеновское. Однако в количественном отношении действие этих двух видов воздействия существенно различается и кроме того существенно зависит от многих других факторов: температуры, напряженности электрического поля в оксиде, толщины оксида, мощности дозы и других [1-4]. Целью данного исследования является определение условий эквивалентности воздействия рентгеновского и гамма-излучений.
1. Zebrev, G.I. Usilenie degradatsii elektronnykh komponentov pri nizkointensivnom izluchenii kosmicheskogo prostranstva kak effekt moshchnosti dozy / G.I. Zebrev, Anashin B.C.. Voprosy atomnoy nauki i tekhniki. Ser. Fizika radiatsionnogo vozdeystviya na radioelektronnuyu apparaturu. - 2009. - Vyp.2. - S. 15-22.
2. Panyushkin, N.N. Modelirovanie dozovykh radiatsionnykh effektov v kremnievykh poluprovodnikovykh priborakh / N.N. Panyushkin, N.N. Matveev, I.P. Biryukova. Zhukovskie chteniya: sb. tr. mezhd. nauch.-tekhn. konf. - Voronezh, 2013.-S. 255-264.
3. Panyushkin, N.N. Mikrouravnevaya matematicheskaya model´ dlya vykhoda zaryada v S1O2 v usloviyakh vozdeystviya ioniziruyushchego izlucheniya zhurnal / N.N. Panyushkin, N.N. Matveev. "Sistemy upravleniya i informatsionnye tekhnologii" 3(37), 2009.-S.88-92.
4. Panyushkin, N.N. Temperaturnaya zavisimost´ kriterial´nykh parametrov poluprovodnika v usloviyakh impul´snogo vozdeystviya VVF/N.N. Panyushkin//Spetselektronika. Ser. 8. - 1992. -Vyp.1(38). - s. 10-13.
